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IGBT+EPI wafer
發(fā)布時間：2021-08-25
外延沉積對功率器件至關(guān)重要，器件以較低的源漏電阻，較大的切斷電阻怎静，實現(xiàn)更快的切換速度断医。
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外延沉積對功率器件至關(guān)重要，器件以較低的源漏電阻，較大的切斷電阻怎静，實現(xiàn)更快的切換速度断医。
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